буюмдар

Продукциялар

Фланецтик токтотуу

Фланецтик терминалдар чынжырдын аягында орнотулат, алар чынжырда берилүүчү сигналдарды сиңирип, сигналдын чагылышын алдын алат, ошону менен чынжыр системасынын өткөрүү сапатына таасирин тийгизет.

Фланецтүү терминал фланецтери жана патчтары бар бир коргошун терминалдык резисторду ширетүүдө чогултулат.Фланец өлчөмү, адатта, орнотуу тешиктеринин жана терминалдык каршылык өлчөмдөрүнүн айкалышынын негизинде иштелип чыккан.Настройка да кардардын колдонуу талаптарына ылайык жүргүзүлүшү мүмкүн.


  • :
  • Продукт чоо-жайы

    Продукт тегдери

    Фланецтик токтотуу

    Фланецтик токтотуу
    Негизги техникалык мүнөздөмөлөрү:

    Номиналдуу кубаттуулугу: 5-1500W;
    Субстраттык материалдар: BeO,AlN,Al2O3
    Номиналдуу каршылык мааниси: 50Ω
    Каршылык толеранттуулук: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Температура коэффициенти:<150ppm/℃
    Иштөө температурасы: -55~+150℃
    Фланец каптоо: кошумча никель же күмүш жалатуу
    ROHS стандарты: ылайык келет
    Колдонулуучу стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Коргошун узундугу: маалымат баракчасында көрсөтүлгөндөй L
    (кардардын талаптарына ылайыкташтырылышы мүмкүн)

    zxczxc1
    Күч
    (W)
    Жыштык
    Диапазон
    Өлчөмү (бирдик: мм) СубстратМатериал Конфигурация Маалымат жадыбалы
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG 2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG 2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG 1   RFT50A-10TM1304
    АлН FIG 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG 1   RFT50A-10TM1104
    АлН FIG 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG 2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      АлН FIG 2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG 2   RFT50-10TM7705I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG 2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН FIG 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 АлН FIG 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН FIG 2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG 2   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН FIG 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO FIG 2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН FIG 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO FIG 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Күч
    (W)
    Жыштык
    Диапазон
    Өлчөмдөрү (бирдик: мм) Субстрат
    Материал
    Конфигурация Маалымат баракчасы (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG 1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO FIG 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG 2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO FIG 1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 АлН FIG 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 АлН FIG 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIG 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG 1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG 1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG 1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG 1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG 1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG 1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG 5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG 5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO FIG 5   RFT50-1500TM5078

    Обзор

    Фланец көбүнчө жез менен капталган никелден же күмүштөн жасалган.Каршылык субстрат көбүнчө бериллий кычкылынан, алюминий нитридинен жана алюминий кычкылынан басып чыгаруудан электр энергиясына жана жылуулуктун таралуу шарттарына ылайык жасалат.

    Фланецти токтотуу, коргошундуу токтотуу сыяктуу, негизинен, схеманын аягына чейин берилген сигнал толкундарын сиңирүү, сигналдын чагылдырылышынын схемага таасирин тийгизбөө жана чынжыр системасынын өткөрүү сапатын камсыз кылуу үчүн колдонулат.

    Фланецти токтотуу фланецине жана фланецтеги монтаждык тешиктеринен улам жамаачы резисторлорго салыштырмалуу оңой орнотуу өзгөчөлүгүнө ээ.


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз