Жетектөөчү токтотуу
Негизги техникалык мүнөздөмөлөрү:
Номиналдуу кубаттуулугу: 5-800W;
Субстраттык материалдар: BeO,AlN,Al2O3
Номиналдуу каршылык мааниси: 50Ω
Каршылык толеранттуулук: ± 5%, ± 2%, ± 1%
эмпература коэффициенти:<150ppm/℃
Иштөө температурасы: -55~+150℃
ROHS стандарты: ылайык келет
Колдонулуучу стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Коргошун узундугу: маалымат баракчасында көрсөтүлгөндөй L
(кардардын талаптарына ылайыкташтырылышы мүмкүн)
Күч(W) | Жыштык | Өлчөмдөрү (бирдик: мм) | СубстратМатериал | Маалымат баракчасы (PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11 ГГц | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | АлН | RFT50N-05TJ1225 | |
10 Вт | 4 ГГц | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20 Вт | 4 ГГц | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-30TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
60 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-60TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100 Вт | 3 ГГц | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ6395 |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957 | ||
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6 ГГц | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957B | ||
8 ГГц | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150 Вт | 3 ГГц | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | АлН | RFT50N-150TJ6395 |
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200 Вт | 3 ГГц | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250 Вт | 3 ГГц | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300 Вт | 3 ГГц | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
500 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
800 Вт | 1 ГГц | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Коргошун менен токтотуу каршылык, схеманы басып чыгаруу жана агломерациялоо аркылуу ар кандай жыштык талаптарынын жана кубаттуулуктун талаптарынын негизинде ылайыктуу субстрат өлчөмүн жана материалдарды тандоо менен жүргүзүлөт.Көбүнчө колдонулган субстрат материалдары, негизинен, бериллий кычкылы, алюминий нитриди, алюминий кычкылы же жакшыраак жылуулук таркатуучу материалдар болушу мүмкүн.
Ичке пленка процесси жана жоон пленка процесси болуп бөлүнөт.Ал белгилүү бир күч жана жыштык талаптарынын негизинде иштелип чыккан, андан кийин процесс аркылуу иштетилет.Эгер сизде өзгөчө муктаждыктар болсо, ыңгайлаштыруу үчүн конкреттүү чечимдерди берүү үчүн биздин сатуу кызматкерлерине кайрылыңыз.